Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Вилисова, М. Д. - Структуры и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой те...
Вилисова, М. Д. - Структуры и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой те...
Статья
Автор: Вилисова, М. Д.
Физика и техника полупроводников: Структуры и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой те...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Вилисова, М. Д.
Физика и техника полупроводников: Структуры и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой те...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Вилисова, М. Д.
Структуры и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, С. В. Субач, М. П. Якубеня, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Н. А. Берт, Ю. Г. Мусихин, В. В. Чалдышев // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 8 . – 900-906 .
Вилисова, М. Д.
Структуры и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, С. В. Субач, М. П. Якубеня, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Н. А. Берт, Ю. Г. Мусихин, В. В. Чалдышев // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 8 . – 900-906 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 8
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 8
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный