Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ободников, В. И. - Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение, возникающее при термообработке в...
Ободников, В. И. - Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение, возникающее при термообработке в...
Статья
Автор: Ободников, В. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение, возникающее при термообработке в...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ободников, В. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение, возникающее при термообработке в...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ободников, В. И.
Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение, возникающее при термообработке в облученном ионами бора кремнии / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / В. И. Ободников, Е. Г. Тишковский // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 4 . – 417-420 .
Ободников, В. И.
Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение, возникающее при термообработке в облученном ионами бора кремнии / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / В. И. Ободников, Е. Г. Тишковский // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 4 . – 417-420 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 4
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 4
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный