Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Броневой, И. Л. - Влияние диаметра фотовозбуждаемой области на пикосекундную релаксацию просветления тонкого слоя GaAs
Броневой, И. Л. - Влияние диаметра фотовозбуждаемой области на пикосекундную релаксацию просветления тонкого слоя GaAs
Статья
Автор: Броневой, И. Л.
Физика и техника полупроводников: Влияние диаметра фотовозбуждаемой области на пикосекундную релаксацию просветления тонкого слоя GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Броневой, И. Л.
Физика и техника полупроводников: Влияние диаметра фотовозбуждаемой области на пикосекундную релаксацию просветления тонкого слоя GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Броневой, И. Л.
Влияние диаметра фотовозбуждаемой области на пикосекундную релаксацию просветления тонкого слоя GaAs / И. Л. Броневой, А. Н. Кривоносов // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 5 . – 542-545 .
Броневой, И. Л.
Влияние диаметра фотовозбуждаемой области на пикосекундную релаксацию просветления тонкого слоя GaAs / И. Л. Броневой, А. Н. Кривоносов // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 5 . – 542-545 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 5
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 5
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный