Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ефремов, А. А. - Компьютерное моделирование преципитации SiO2 в кремнии, выращенном методом Чохральского и легиров...
Ефремов, А. А. - Компьютерное моделирование преципитации SiO2 в кремнии, выращенном методом Чохральского и легиров...
Статья
Автор: Ефремов, А. А.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Компьютерное моделирование преципитации SiO2 в кремнии, выращенном методом Чохральского и легиров...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ефремов, А. А.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Компьютерное моделирование преципитации SiO2 в кремнии, выращенном методом Чохральского и легиров...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ефремов, А. А.
Компьютерное моделирование преципитации SiO2 в кремнии, выращенном методом Чохральского и легированном азотом / Материаловедение и физико-химические основы технологий получения гомо- и гетероэпитаксиальных слоев, в том числе нанослоев, созданных на основе монокристаллического кремния / А. А. Ефремов, В. Г. Литовченко, А. В. Сариков, Г. Рихтер, В. Д. Ахмедов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2003 . – N 3 . – с. 44-48 .
Ефремов, А. А.
Компьютерное моделирование преципитации SiO2 в кремнии, выращенном методом Чохральского и легированном азотом / Материаловедение и физико-химические основы технологий получения гомо- и гетероэпитаксиальных слоев, в том числе нанослоев, созданных на основе монокристаллического кремния / А. А. Ефремов, В. Г. Литовченко, А. В. Сариков, Г. Рихтер, В. Д. Ахмедов // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2003 . – N 3 . – с. 44-48 .
Привязано к:
Нет экз.