Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Инденбаум, Г. В. - Зависимость субструктуры монокристаллов HgSe от условий их роста из расплава
Инденбаум, Г. В. - Зависимость субструктуры монокристаллов HgSe от условий их роста из расплава
Книга (аналит. описание)
Автор: Инденбаум, Г. В.
Вып.73: Халькогениды цинка, кадмия и ртути: Зависимость субструктуры монокристаллов HgSe от условий их роста из расплава
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Инденбаум, Г. В.
Вып.73: Халькогениды цинка, кадмия и ртути: Зависимость субструктуры монокристаллов HgSe от условий их роста из расплава
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Инденбаум, Г. В.
Зависимость субструктуры монокристаллов HgSe от условий их роста из расплава / Г. В. Инденбаум, В. М. Безбородова, Н. М. Бойных // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.73: Халькогениды цинка, кадмия и ртути / МИСиС, А. В. Ванюков, Г. В. Инденбаум . – М. : Металлургия, 1973 . – 113-120 .
С использованием методов селективного травления, рентгеновской топографической съемки по Шульцу и на двухкристальном рентгеновском спектрометре изучена дислокационная субструктура кристаллизации в запаянных кварцевых ампулах. Обсуждаются механизмы возникновения дислокаций в кристаллах HgSe. Дано подробное описание зависимости распределения плотности дислокаций по длине и сечению слитков от осевого температурного градиента и скорости роста.
Инденбаум, Г. В.
Зависимость субструктуры монокристаллов HgSe от условий их роста из расплава / Г. В. Инденбаум, В. М. Безбородова, Н. М. Бойных // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.73: Халькогениды цинка, кадмия и ртути / МИСиС, А. В. Ванюков, Г. В. Инденбаум . – М. : Металлургия, 1973 . – 113-120 .
С использованием методов селективного травления, рентгеновской топографической съемки по Шульцу и на двухкристальном рентгеновском спектрометре изучена дислокационная субструктура кристаллизации в запаянных кварцевых ампулах. Обсуждаются механизмы возникновения дислокаций в кристаллах HgSe. Дано подробное описание зависимости распределения плотности дислокаций по длине и сечению слитков от осевого температурного градиента и скорости роста.