Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Ванюков, А. В.
Физико-химическая оценка параметров процесса выращивания пленок полупроводниковых соединений АпВvi методом кристаллизации из паро-газовой фазы в проточных системах / А. В. Ванюков, И. И. Кротов // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.73: Халькогениды цинка, кадмия и ртути / МИСиС, А. В. Ванюков, Г. В. Инденбаум . – М. : Металлургия, 1973 . – 124-138 .

Представлены результаты физико-химического анализа процессов кристаллизации полупроводниковых соединений АпВvi в проточных системах. Выявлены достаточно общие закономерности ориентированного нарастания CdTe, ZnTe и CdS на различных подложках в потоке инертной и восстановительной атмосферы, а также при химическом взаимодействии вещества с газом-носителем. Предложена методика расчета парциальных давлений паров компонентов и степени отклонения процесса кристаллизации от состояния термодинамического равновесия. Для приближенной оценки условий эпитаксиального выращивания в системах типа АпВvi - газ введен критерий оптимизации процесса ориентированного нарастания. Показано, что при оптимальном соответствии температуры подложки и пересыщения можно получить монокристаллические пленки указанных веществ с гладкой блестящей поверхностью.