Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Бублик, В. Т.
Исследование упорядочения в системах GaAs-GaP и GAAs-AlAs методом диффузного рассеяния рентгеновских лучей / В. Т. Бублик, С. С. Горелик, М. Г. Шумский // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений : Сборник статей / МИСиС, С. С. Горелик, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1974 . – 69-80 .

Методом диффузного рассеяния рентгеновских лучей от кристаллов, близких к состоянию термодинамического равновесия, определен тип ближнего порядка и получены значения энергии смешения с учетом взаимодействия во всех координационных сферах: 1,6+-0,15 ккал/моль в системе GaAs-AlAs и 1,1+-0,1 ккал/моль в системе GaAs-GaP. При сравнении этих величин обнаружена корреляция с разностью относительных поляризуемостей химических связей, что и является, вероятно, одной из причин расслоения в исследованных системах. Построены диаграммы состояния систем GaAs-GaP и GaAs-AlAs в приближении регулярных растворов с помощью составленной программы для ЭВМ 'Минск-22'. Отмечено некоторое расхождение полученных расчетных диаграмм и известных экспериментальных данных.