Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Дашевский, М. Я.
Исследование гетероструктур InSb/GaSb, GaSb/InSb / М. Я. Дашевский, В. М. Жданов, Л. В. Ковальчук, В. В. Суходолов // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.83: Твердые растворы элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений : Сборник статей / МИСиС, С. С. Горелик, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1974 . – 145-148 .

Приведены результаты исследования переходных слоев гетероструктур InSb(ш)/GaSb(ш), GaSb(ш)/InSb(ш),полученных методом жидкостной эпитаксии и влияния полярных направлений роста <ш> на совершенство структуры. Показано, что при выращивании гетероструктур GaSb(ш)/InSb(ш) полярность направлений <Ш> не оказывает существенного влияния на морфологию слоев. Однако при выращивании гетероструктур InSb(ш)/GaSb(ш) затруднен слоистый рост в направлении A/Ш/, что приводит к повышенной плотности дефектов. Легирование теллуром до концентрации 2*10 в 19 степени ат/см куб приводит к подавлению монокристаллического роста слоев InSb на подложках GaSb в направлении В/ш/.