Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Блистанов, А. А. - Зависимость напряжения течения щелочногалоидных кристаллов от концентрации примесей
Блистанов, А. А. - Зависимость напряжения течения щелочногалоидных кристаллов от концентрации примесей
Книга (аналит. описание)
Автор: Блистанов, А. А.
Вып.88: Дефекты в оптических монокристаллах: Зависимость напряжения течения щелочногалоидных кристаллов от концентрации примесей
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Блистанов, А. А.
Вып.88: Дефекты в оптических монокристаллах: Зависимость напряжения течения щелочногалоидных кристаллов от концентрации примесей
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Блистанов, А. А.
Зависимость напряжения течения щелочногалоидных кристаллов от концентрации примесей / А. А. Блистанов, М. М. Тагиева, М. П. Шаскольская // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.88: Дефекты в оптических монокристаллах : Сб.статей / МИСиС, А. А. Блистанов . – М. : Металлургия, 1976 . – 4-10 .
Зависимость предела текучести кристаллов LiF:Mg и KCl:Pb изучена в широком интервале концентраций примеси, причем для KCl:Pb получены кривые для 18 различных концентраций. Показаны характерные отличия зависимостей сигма т(С) в кристаллах, подвергшихся различной термообработке. Установлен нижний предел концентраций (С<10 в -5 ст.мол.долей Pb в KCl), при которых наличие примеси приводит к возникновению локальных препятствий для движения дислокаций в отожженных кристаллах KCl:Pb.
Блистанов, А. А.
Зависимость напряжения течения щелочногалоидных кристаллов от концентрации примесей / А. А. Блистанов, М. М. Тагиева, М. П. Шаскольская // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.88: Дефекты в оптических монокристаллах : Сб.статей / МИСиС, А. А. Блистанов . – М. : Металлургия, 1976 . – 4-10 .
Зависимость предела текучести кристаллов LiF:Mg и KCl:Pb изучена в широком интервале концентраций примеси, причем для KCl:Pb получены кривые для 18 различных концентраций. Показаны характерные отличия зависимостей сигма т(С) в кристаллах, подвергшихся различной термообработке. Установлен нижний предел концентраций (С<10 в -5 ст.мол.долей Pb в KCl), при которых наличие примеси приводит к возникновению локальных препятствий для движения дислокаций в отожженных кристаллах KCl:Pb.