Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Галаев, А. А.
Исследование атомной структуры поверхности полупроводниковых кристаллов методом дифракции медленных электронов / А. А. Галаев, Ю. Н. Пархоменко // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках : Сб.статей / МИСиС, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1976 . – 92-106 .

Исследованы атомарно-чистые поверхности элементарных полупроводников Si(111), Ge(111) и полупроводниковых соединений GaAs (111) и GaAs (110) методом дифракции медленных электронов. Приведена методика определения усредненного внутреннего потенциала и смещенний атомов в направлении, нормальном к поверхности в поверхностном слое кристалла. Определены характеристическая температура Дебая и среднеквадратичные амплитуды колебаний атомов в поверхностном слое.