Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Столик, Д.
К вопросы линейного приближения хода потенциала в поверхностном слое пространственного заряда / Д. Столик, А. А. Галаев // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках : Сб.статей / МИСиС, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1976 . – 106-112 .

При решении многих задач часто используют линейное приближение хода потенциала в поверхностном слое пространственного заряда от поверхности до дебаевской глубины экранирования. В качестве верхнего предела интегрирования при определении концентрации носителей в слое пространственного заряда взята условная глубина экранирования, выбранная таким образом, что рекзультат интегрирования совпадает с численным решением интеграла с истинным ходом потенциала. Определена связь выбранной глубины экранирования с дебаевской глубиной.