Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Крапухин, В. В. - О влиянии тлеющего разряда на состояние поверхности кремния и формирование на ней слоя SiO2 в кис...
Крапухин, В. В. - О влиянии тлеющего разряда на состояние поверхности кремния и формирование на ней слоя SiO2 в кис...
Книга (аналит. описание)
Автор: Крапухин, В. В.
Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках: О влиянии тлеющего разряда на состояние поверхности кремния и формирование на ней слоя SiO2 в кис...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Крапухин, В. В.
Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках: О влиянии тлеющего разряда на состояние поверхности кремния и формирование на ней слоя SiO2 в кис...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Крапухин, В. В.
О влиянии тлеющего разряда на состояние поверхности кремния и формирование на ней слоя SiO2 в кислородной плазме / В. В. Крапухин, Г. Д. Кузнецов, А. Г. Петрик, В. Н. Полунин, В. П. Токарев, Д. П. Уткин-Эдин, Э. С. Фалькевич // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках : Сб.статей / МИСиС, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1976 . – 116-119 .
Исследовано влияние обработки поверхности (111) монокристаллического кремния n-типа (7,5 Ом*см) в тлеющем разряде и последующего окисления кремния в кислородной плазме при температурах 50-200 градусов Цельсия.
Крапухин, В. В.
О влиянии тлеющего разряда на состояние поверхности кремния и формирование на ней слоя SiO2 в кислородной плазме / В. В. Крапухин, Г. Д. Кузнецов, А. Г. Петрик, В. Н. Полунин, В. П. Токарев, Д. П. Уткин-Эдин, Э. С. Фалькевич // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.89: Поверхностные явления в полупроводниках : Сб.статей / МИСиС, С. С. Горелик . – М. : Металлургия, 1976 . – 116-119 .
Исследовано влияние обработки поверхности (111) монокристаллического кремния n-типа (7,5 Ом*см) в тлеющем разряде и последующего окисления кремния в кислородной плазме при температурах 50-200 градусов Цельсия.