Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кротов, И. И. - Физико-химические условия образования тонких слоев CdxHg1-xTe
Кротов, И. И. - Физико-химические условия образования тонких слоев CdxHg1-xTe
Книга (аналит. описание)
Автор: Кротов, И. И.
Вып.106: Соединения АпВvi. Физико-химические основы получения и свойства: Физико-химические условия образования тонких слоев CdxHg1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кротов, И. И.
Вып.106: Соединения АпВvi. Физико-химические основы получения и свойства: Физико-химические условия образования тонких слоев CdxHg1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Кротов, И. И.
Физико-химические условия образования тонких слоев CdxHg1-xTe / И. И. Кротов, Е. А. Миколюк // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.106: Соединения АпВvi. Физико-химические основы получения и свойства : Сб.статей / МИСиС . – М. : Металлургия, 1978 . – 46-53 .
Дана характеристика эпитаксиальных структур CdxHg1-xTe, полученных диффузионным методом на подложках из флюорита и арсенида галлия в различных условиях. Изучены электрофизические и фотоэлктрические свойства эпитаксиальных слоев в зависимости от состава и условий выращивания. Показано, что отжиг пленок CdxHg1-xTe в парах ртути существенно улучшает их физические свойства. Образцы подвергнутые термообработке, фоточувствиткльны в диапазоне длин волн 5-10мкм и имеют значение детектирующей способности D*=1:5*10 в 8 степени см*Гц 1/2*Вт-1.
Кротов, И. И.
Физико-химические условия образования тонких слоев CdxHg1-xTe / И. И. Кротов, Е. А. Миколюк // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.106: Соединения АпВvi. Физико-химические основы получения и свойства : Сб.статей / МИСиС . – М. : Металлургия, 1978 . – 46-53 .
Дана характеристика эпитаксиальных структур CdxHg1-xTe, полученных диффузионным методом на подложках из флюорита и арсенида галлия в различных условиях. Изучены электрофизические и фотоэлктрические свойства эпитаксиальных слоев в зависимости от состава и условий выращивания. Показано, что отжиг пленок CdxHg1-xTe в парах ртути существенно улучшает их физические свойства. Образцы подвергнутые термообработке, фоточувствиткльны в диапазоне длин волн 5-10мкм и имеют значение детектирующей способности D*=1:5*10 в 8 степени см*Гц 1/2*Вт-1.