Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Павлова, Г. С. - Исследование диффузии индия в теллуриде кадмия
Павлова, Г. С. - Исследование диффузии индия в теллуриде кадмия
Книга (аналит. описание)
Автор: Павлова, Г. С.
Вып.146: Структура и свойства соединений А2В6: Исследование диффузии индия в теллуриде кадмия
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Павлова, Г. С.
Вып.146: Структура и свойства соединений А2В6: Исследование диффузии индия в теллуриде кадмия
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Павлова, Г. С.
Исследование диффузии индия в теллуриде кадмия / Г. С. Павлова, Ю. М. Иванов, Ф. З. Канунова // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.146: Структура и свойства соединений А2В6 : Сб.статей / МИСиС, А. В. Ванюков . – М. : Металлургия, 1983 . – 64-65 .
Исследовано поведение индия в p-CdTe в интервале температур 200-960 градусов Цельсия на низкоомном материале с концентрацией дырок 10 в минус 14 - 10 в минус 16 см в -3 и высокоомном CdTe с p=10 в 8 - 10 в 9 см в -3. Получены экспоненциальные зависимости коэффициентов диффузии индия в теллуриде кадмия. Существование вакансионного механизма диффузии индия по подрешетке кадмия на низкоомном CdTe подтверждается наблюдаемым уменьшением энергии активации с ростом концентрации вакансии в материале. Аномально высокие значения коэффициентов диффузии в высокоомном CdTe свидетельствуют о наличии межузельной компоненты диффузии.
Павлова, Г. С.
Исследование диффузии индия в теллуриде кадмия / Г. С. Павлова, Ю. М. Иванов, Ф. З. Канунова // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.146: Структура и свойства соединений А2В6 : Сб.статей / МИСиС, А. В. Ванюков . – М. : Металлургия, 1983 . – 64-65 .
Исследовано поведение индия в p-CdTe в интервале температур 200-960 градусов Цельсия на низкоомном материале с концентрацией дырок 10 в минус 14 - 10 в минус 16 см в -3 и высокоомном CdTe с p=10 в 8 - 10 в 9 см в -3. Получены экспоненциальные зависимости коэффициентов диффузии индия в теллуриде кадмия. Существование вакансионного механизма диффузии индия по подрешетке кадмия на низкоомном CdTe подтверждается наблюдаемым уменьшением энергии активации с ростом концентрации вакансии в материале. Аномально высокие значения коэффициентов диффузии в высокоомном CdTe свидетельствуют о наличии межузельной компоненты диффузии.