Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кротов, И. И. - Влияние термообработки на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев (Cd, Hg)Te
Кротов, И. И. - Влияние термообработки на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев (Cd, Hg)Te
Книга (аналит. описание)
Автор: Кротов, И. И.
Вып.146: Структура и свойства соединений А2В6: Влияние термообработки на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев (Cd, Hg)Te
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кротов, И. И.
Вып.146: Структура и свойства соединений А2В6: Влияние термообработки на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев (Cd, Hg)Te
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Кротов, И. И.
Влияние термообработки на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев (Cd, Hg)Te / И. И. Кротов, Е. С. Миколюк, Г. В. Старкова // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.146: Структура и свойства соединений А2В6 : Сб.статей / МИСиС, А. В. Ванюков . – М. : Металлургия, 1983 . – 72-80 .
Изучено влияние температурных условий и временных характеристик процесса термообработки эпитаксиальных слоев (Cd,Hg)Te в режиме программного охлаждения на электрофизические и фотоэлектрические свойства. Дана оценка положения собственной линии (p-n) на р-Т диаграмме, линия (р=n) не пересекает теллуровый край области гомогенности, а лишь максимально приближается к нему при самых низких температурах. Показано, что область инверсии типа носителей чрезвычайно узка при высоких температурах и существенно расширяется в сторону низких температур.
Кротов, И. И.
Влияние термообработки на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев (Cd, Hg)Te / И. И. Кротов, Е. С. Миколюк, Г. В. Старкова // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.146: Структура и свойства соединений А2В6 : Сб.статей / МИСиС, А. В. Ванюков . – М. : Металлургия, 1983 . – 72-80 .
Изучено влияние температурных условий и временных характеристик процесса термообработки эпитаксиальных слоев (Cd,Hg)Te в режиме программного охлаждения на электрофизические и фотоэлектрические свойства. Дана оценка положения собственной линии (p-n) на р-Т диаграмме, линия (р=n) не пересекает теллуровый край области гомогенности, а лишь максимально приближается к нему при самых низких температурах. Показано, что область инверсии типа носителей чрезвычайно узка при высоких температурах и существенно расширяется в сторону низких температур.