Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сиукаев, Н. В. - Кинетика жидкофазной эпитаксии Pb1-xSnxTe из ограниченного объема
Сиукаев, Н. В. - Кинетика жидкофазной эпитаксии Pb1-xSnxTe из ограниченного объема

Книга (аналит. описание)
Автор: Сиукаев, Н. В.
Вып.183: Структура и свойства соединений Аiv Вvi: Кинетика жидкофазной эпитаксии Pb1-xSnxTe из ограниченного объема
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сиукаев, Н. В.
Вып.183: Структура и свойства соединений Аiv Вvi: Кинетика жидкофазной эпитаксии Pb1-xSnxTe из ограниченного объема
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Сиукаев, Н. В.
Кинетика жидкофазной эпитаксии Pb1-xSnxTe из ограниченного объема / Н. В. Сиукаев, Н. Р. Жуков // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.183: Структура и свойства соединений А4В6 : Темат.сб.науч.тр. / МИСиС ; ред. А. Н. Ковалев . – М. : Металлургия, 1990 . – 76-80 .
Эпитаксиальный метод выращивания монокристаллических слоев из раствора-расплава компонентов при низких температурах (500-700 градусов Цельсия) позволяет получать более чистые и совершенные слои Pb1-xSnxTe со сравнительно низкой концентрацией носителей и высоким кристаллическим совершенством. Изучено влияние различных технологических факторов, температуры роста, величины и направления градиента температуры на скорость роста и морфологию эпитаксиальных слоев в зависимости от толщины раствора - расплава, распределение состава твердого раствора по толщине и поверхности. На полученных слоях исследованы электрические и оптические свойства.
Сиукаев, Н. В.
Кинетика жидкофазной эпитаксии Pb1-xSnxTe из ограниченного объема / Н. В. Сиукаев, Н. Р. Жуков // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.183: Структура и свойства соединений А4В6 : Темат.сб.науч.тр. / МИСиС ; ред. А. Н. Ковалев . – М. : Металлургия, 1990 . – 76-80 .
Эпитаксиальный метод выращивания монокристаллических слоев из раствора-расплава компонентов при низких температурах (500-700 градусов Цельсия) позволяет получать более чистые и совершенные слои Pb1-xSnxTe со сравнительно низкой концентрацией носителей и высоким кристаллическим совершенством. Изучено влияние различных технологических факторов, температуры роста, величины и направления градиента температуры на скорость роста и морфологию эпитаксиальных слоев в зависимости от толщины раствора - расплава, распределение состава твердого раствора по толщине и поверхности. На полученных слоях исследованы электрические и оптические свойства.