Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ковалев, А. Н. - Анализ хараткеристик фоточувствительных пленок сульфида свинца при изменении их структурных и эле...
Ковалев, А. Н. - Анализ хараткеристик фоточувствительных пленок сульфида свинца при изменении их структурных и эле...

Книга (аналит. описание)
Автор: Ковалев, А. Н.
Вып.183: Структура и свойства соединений Аiv Вvi: Анализ хараткеристик фоточувствительных пленок сульфида свинца при изменении их структурных и эле...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ковалев, А. Н.
Вып.183: Структура и свойства соединений Аiv Вvi: Анализ хараткеристик фоточувствительных пленок сульфида свинца при изменении их структурных и эле...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Ковалев, А. Н.
Анализ хараткеристик фоточувствительных пленок сульфида свинца при изменении их структурных и электрофизических параметров / А. Н. Ковалев, Ф. И. Маняхин // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.183: Структура и свойства соединений А4В6 : Темат.сб.науч.тр. / МИСиС ; ред. А. Н. Ковалев . – М. : Металлургия, 1990 . – 120-127 .
Дана систематизация соотношения энергий активации температурных зависимостей фотопроводимости, темновой проводимости, постоянной времени фотоответа и холловской концентрации носителей заряда по типу технологической структуры пленок. Учет механизма электропроводности по уровню протекания в неоднородных полупроводниках позволил описать температурные зависимости параметров фоточувствительных пленок через количественно измеряемые величины: размер кристаллитов, концентрацию доноров и акцепторов, соотношение электропроводностей р- и n- слоев.
Ковалев, А. Н.
Анализ хараткеристик фоточувствительных пленок сульфида свинца при изменении их структурных и электрофизических параметров / А. Н. Ковалев, Ф. И. Маняхин // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.183: Структура и свойства соединений А4В6 : Темат.сб.науч.тр. / МИСиС ; ред. А. Н. Ковалев . – М. : Металлургия, 1990 . – 120-127 .
Дана систематизация соотношения энергий активации температурных зависимостей фотопроводимости, темновой проводимости, постоянной времени фотоответа и холловской концентрации носителей заряда по типу технологической структуры пленок. Учет механизма электропроводности по уровню протекания в неоднородных полупроводниках позволил описать температурные зависимости параметров фоточувствительных пленок через количественно измеряемые величины: размер кристаллитов, концентрацию доноров и акцепторов, соотношение электропроводностей р- и n- слоев.