Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ладыгин, Е. А. - Влияние пространственного распределения радиационных дефектов на фотоэлектрические свойства плено...
Ладыгин, Е. А. - Влияние пространственного распределения радиационных дефектов на фотоэлектрические свойства плено...
Книга (аналит. описание)
Автор: Ладыгин, Е. А.
Вып.183: Структура и свойства соединений Аiv Вvi: Влияние пространственного распределения радиационных дефектов на фотоэлектрические свойства плено...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ладыгин, Е. А.
Вып.183: Структура и свойства соединений Аiv Вvi: Влияние пространственного распределения радиационных дефектов на фотоэлектрические свойства плено...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Ладыгин, Е. А.
Влияние пространственного распределения радиационных дефектов на фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца / Е. А. Ладыгин, Ф. И. Маняхин // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.183: Структура и свойства соединений А4В6 : Темат.сб.науч.тр. / МИСиС ; ред. А. Н. Ковалев . – М. : Металлургия, 1990 . – 127-135 .
Определена зависимость фотопроводимости, постоянной времени фотоответа, электропроводности и характера нелинейности вольамперной характеристики от концентрации радиационных дефектов и места их локализации в фоточувствительной пленке сульвида свинца. Обнаружено уменьшение при T>100 К и увеличение при T<100 К фоточувствительности в зависимости от энергии и дозы внедренных ионов.
Ладыгин, Е. А.
Влияние пространственного распределения радиационных дефектов на фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца / Е. А. Ладыгин, Ф. И. Маняхин // Труды Московского института стали и сплавов : науч. труды / МИСиС . – М. : Металлургия. - Вып.183: Структура и свойства соединений А4В6 : Темат.сб.науч.тр. / МИСиС ; ред. А. Н. Ковалев . – М. : Металлургия, 1990 . – 127-135 .
Определена зависимость фотопроводимости, постоянной времени фотоответа, электропроводности и характера нелинейности вольамперной характеристики от концентрации радиационных дефектов и места их локализации в фоточувствительной пленке сульвида свинца. Обнаружено уменьшение при T>100 К и увеличение при T<100 К фоточувствительности в зависимости от энергии и дозы внедренных ионов.