Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Миронов, А. С. - Разработка галогенидного процесса получения в высокочастотном тлеющем разряде структур Si-SiO2
Миронов, А. С. - Разработка галогенидного процесса получения в высокочастотном тлеющем разряде структур Si-SiO2
Доступно
1 из 1
1 из 1
Автореферат
Автор: Миронов, А. С.
Разработка галогенидного процесса получения в высокочастотном тлеющем разряде структур Si-SiO2 : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.17.16
Издательство: [МИСиС], 1982 г.
ISBN отсутствует
Автор: Миронов, А. С.
Разработка галогенидного процесса получения в высокочастотном тлеющем разряде структур Si-SiO2 : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.17.16
Издательство: [МИСиС], 1982 г.
ISBN отсутствует
Автореферат
М-641асп
Миронов, А. С.
Разработка галогенидного процесса получения в высокочастотном тлеющем разряде структур Si-SiO2 : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.17.16 / А. С. Миронов, Г. Д. Кузнецов . – М. : [МИСиС], 1982 . – 24 с. - (Для служебного пользования).
Общий = Химия : неорганическая химия : периодическая система элементов : кремний
Общий = Электротехника : электроника : полупроводниковая электроника
СП-14739 21:Фонд дис.ДСП МИСиС
М-641асп
Миронов, А. С.
Разработка галогенидного процесса получения в высокочастотном тлеющем разряде структур Si-SiO2 : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.17.16 / А. С. Миронов, Г. Д. Кузнецов . – М. : [МИСиС], 1982 . – 24 с. - (Для служебного пользования).
Общий = Химия : неорганическая химия : периодическая система элементов : кремний
Общий = Электротехника : электроника : полупроводниковая электроника
СП-14739 21:Фонд дис.ДСП МИСиС