Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Авруцкий, И. А. - Расчет параметров экситона в напряженных КЯ структурах на основе InxGa(1-x)As/GaAs
Авруцкий, И. А. - Расчет параметров экситона в напряженных КЯ структурах на основе InxGa(1-x)As/GaAs
Статья
Автор: Авруцкий, И. А.
Физика и техника полупроводников: Расчет параметров экситона в напряженных КЯ структурах на основе InxGa(1-x)As/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Авруцкий, И. А.
Физика и техника полупроводников: Расчет параметров экситона в напряженных КЯ структурах на основе InxGa(1-x)As/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Авруцкий, И. А.
Расчет параметров экситона в напряженных КЯ структурах на основе InxGa(1-x)As/GaAs / И. А. Авруцкий, В. А. Сычугов, Б. А. Усиевич // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 10 . – с. 1787-1791 .
Авруцкий, И. А.
Расчет параметров экситона в напряженных КЯ структурах на основе InxGa(1-x)As/GaAs / И. А. Авруцкий, В. А. Сычугов, Б. А. Усиевич // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 10 . – с. 1787-1791 .
Привязано к:
Доступно
2 из 2
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 10
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 10
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный