Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Залевский, И. Д.
Выращивание квантоворазмерных структур AlGaAs/GaAs для фотоприемников, работающих в спектральном диапазоне 8-12 мкм, методом МОС-гидридной эпитаксии / Материаловедение и технология. Полупроводники / И. Д. Залевский, П. В. Булаев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. Б. Куликов, В. Г. Кригель // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 1999 . – N 3 . – 8-10 .