Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Dopuis, R. D. - Growth of III-N vaterials and devices by metallorganic chemical vapor deposition / Полупроводнико...
Dopuis, R. D. - Growth of III-N vaterials and devices by metallorganic chemical vapor deposition / Полупроводнико...
Статья
Автор: Dopuis, R. D.
Физика и техника полупроводников: Growth of III-N vaterials and devices by metallorganic chemical vapor deposition / Полупроводнико...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Dopuis, R. D.
Физика и техника полупроводников: Growth of III-N vaterials and devices by metallorganic chemical vapor deposition / Полупроводнико...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Dopuis, R. D.
Growth of III-N vaterials and devices by metallorganic chemical vapor deposition / Полупроводниковые гетероструктуры / R. D. Dopuis, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, J. Park // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 9 . – 1059-1063 .
Dopuis, R. D.
Growth of III-N vaterials and devices by metallorganic chemical vapor deposition / Полупроводниковые гетероструктуры / R. D. Dopuis, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, J. Park // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 9 . – 1059-1063 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 9
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 9
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный