Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Цырлин, Г. Э. - Гетероэпитаксиальный рост InAs на Si: новый тип квантовых точек / Полупроводниковые гетероструктуры
Цырлин, Г. Э. - Гетероэпитаксиальный рост InAs на Si: новый тип квантовых точек / Полупроводниковые гетероструктуры
Статья
Автор: Цырлин, Г. Э.
Физика и техника полупроводников: Гетероэпитаксиальный рост InAs на Si: новый тип квантовых точек / Полупроводниковые гетероструктуры
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Цырлин, Г. Э.
Физика и техника полупроводников: Гетероэпитаксиальный рост InAs на Si: новый тип квантовых точек / Полупроводниковые гетероструктуры
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Цырлин, Г. Э.
Гетероэпитаксиальный рост InAs на Si: новый тип квантовых точек / Полупроводниковые гетероструктуры / Г. Э. Цырлин, В. Н. Петров, В. Г. Дубровский, Ю. Б. Самсоненко, Н. К. Поляков, А. О. Голубок, С. А. Масалов, Н. И. Комяк, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, А. Р. Ковш, М. В. Максимов, А. Ф. Цацульников, Б. В. Воловик, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 9 . – 1066-1069 .
Цырлин, Г. Э.
Гетероэпитаксиальный рост InAs на Si: новый тип квантовых точек / Полупроводниковые гетероструктуры / Г. Э. Цырлин, В. Н. Петров, В. Г. Дубровский, Ю. Б. Самсоненко, Н. К. Поляков, А. О. Голубок, С. А. Масалов, Н. И. Комяк, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, А. Р. Ковш, М. В. Максимов, А. Ф. Цацульников, Б. В. Воловик, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 9 . – 1066-1069 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 9
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 9
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный