Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Соколова, З. Н. - Гетероструктуры в системе InGaAs/InP с напряженными квантовыми ямами и квантовыми точками (1.5 - ...
Соколова, З. Н. - Гетероструктуры в системе InGaAs/InP с напряженными квантовыми ямами и квантовыми точками (1.5 - ...
Статья
Автор: Соколова, З. Н.
Физика и техника полупроводников: Гетероструктуры в системе InGaAs/InP с напряженными квантовыми ямами и квантовыми точками (1.5 - ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Соколова, З. Н.
Физика и техника полупроводников: Гетероструктуры в системе InGaAs/InP с напряженными квантовыми ямами и квантовыми точками (1.5 - ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Соколова, З. Н.
Гетероструктуры в системе InGaAs/InP с напряженными квантовыми ямами и квантовыми точками (1.5 - 1.9 мкм) / Полупроводниковые гетероструктуры / З. Н. Соколова, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, Н. А. Гунько, Г. Г. Зегря // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 9 . – 1105-1107 .
Соколова, З. Н.
Гетероструктуры в системе InGaAs/InP с напряженными квантовыми ямами и квантовыми точками (1.5 - 1.9 мкм) / Полупроводниковые гетероструктуры / З. Н. Соколова, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, Н. А. Гунько, Г. Г. Зегря // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 9 . – 1105-1107 .