Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Харламов, Н. А. - Ионно-плазменное получение и возможность использования слоев твердого раствора на основе (SiC)1-x...
Харламов, Н. А. - Ионно-плазменное получение и возможность использования слоев твердого раствора на основе (SiC)1-x...
Доступно
1 из 1
1 из 1
Диссертация
Автор: Харламов, Н. А.
Ионно-плазменное получение и возможность использования слоев твердого раствора на основе (SiC)1-x... : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники"
Издательство: [МИСиС], 2014 г.
ISBN отсутствует
Автор: Харламов, Н. А.
Ионно-плазменное получение и возможность использования слоев твердого раствора на основе (SiC)1-x... : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники"
Издательство: [МИСиС], 2014 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Диссертация
Х-211д
Харламов, Н. А.
Ионно-плазменное получение и возможность использования слоев твердого раствора на основе (SiC)1-x(AlN)x на монокристаллическом кремнии : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" / Н. А. Харламов; науч. рук. Г. Д. Кузнецов ; М-во образования и науки РФ, НИТУ МИСиС . – М. : [МИСиС], 2014 . – 141с. : рис. + Библиогр.: с. 127-136. - Прил.: с. 137-141 .
621.315.592.2:546.28-165:621.382.049.772(043.3)
Общий = Материаловедение : полупроводники
Общий = Кристаллография : кристаллы : виды : монокристаллы
536205 19:Фонд дис.МИСиС
Х-211д
Харламов, Н. А.
Ионно-плазменное получение и возможность использования слоев твердого раствора на основе (SiC)1-x(AlN)x на монокристаллическом кремнии : дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" / Н. А. Харламов; науч. рук. Г. Д. Кузнецов ; М-во образования и науки РФ, НИТУ МИСиС . – М. : [МИСиС], 2014 . – 141с. : рис. + Библиогр.: с. 127-136. - Прил.: с. 137-141 .
621.315.592.2:546.28-165:621.382.049.772(043.3)
Общий = Материаловедение : полупроводники
Общий = Кристаллография : кристаллы : виды : монокристаллы
536205 19:Фонд дис.МИСиС