Электронный каталог -Лаврентьев, М. Г. - Принципы формирования анизотропной структуры термоэлектрических материалов на основе халькогенидо...- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Лаврентьев, М. Г. - Принципы формирования анизотропной структуры термоэлектрических материалов на основе халькогенидо...

Лаврентьев, М. Г. - Принципы формирования анизотропной структуры термоэлектрических материалов на основе халькогенидо...

Доступно
1 из 1

Диссертация
Автор: Лаврентьев, М. Г.
Принципы формирования анизотропной структуры термоэлектрических материалов на основе халькогенидо... : дис... к.физ.-мат.н., спец. 1.3.11 - "Физика полупроводников"
Издательство: [МИСиС], 2022 г.
ISBN отсутствует

Заказать

На полку

Диссертация
Л-135д

Лаврентьев, М. Г.
Принципы формирования анизотропной структуры термоэлектрических материалов на основе халькогенидов висмута и сурьмы для оптимизации их функциональных характеристик : дис... к.физ.-мат.н., спец. 1.3.11 - "Физика полупроводников" / М.Г. Лаврентьев; науч. рук. Н.Ю. Табачкова ; НИТУ МИСИС . – [МИСиС], 2022 . – 152с. : рис. + Библиогр.: с. 144-152 .

537.311.322:537.32:621.762(043.3)

Общий = Физика : полупроводники
Общий = Физика : твердое тело : структура : анизотропия
Общий = Физика : электричество : термоэлектричество
Общий = Металлургия : порошковая металлургия

564806 19:Фонд дис.МИСИС