Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Щеглов, М. П.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Андреев, А. Н.
Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом атомной сублимации на по...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Исследование гетероэпитаксиальных структур {p-3C/n-6H}-SiC / Полупроводниковые структуры, границы...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сорокин, Л. М.
Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Влияние степени структурного совершенства на спектр глубоких центров в 6H-SiC / Электронные и опт...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бельков, В. В.
Микроструктура объемного GaN, выращенного на сапфировых подложках с аморфным буфером / Полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кузнецов, А. Н.
Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AIN/Al2O3
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Влияние состава паровой фазы в ростовой ячейке на уровень легирования эпитаксиальных слоев карбид...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аргунова, Т. С.
Структурные исследования монокристаллов Si1-xGex рентгенодифракционными методами / Полупроводники...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кютт, Р. Н.
Дефектная структура сверхрешеток AlGaN/GaN, выращенных методом MOCVD на сапфире / Низкоразмерные ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Исследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии / Полупро...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кютт, Р. Н.
Анизотропия упругих напряжений и особенности дефектной структуры альфа-ориентированных эпитаксиал...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Ратников, В. В.
Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167