Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Доступно
1 из 1
Доступно
3 из 3
Челноков, В. Е.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:


Статья
Рогачев, Н. А.
Аморфный гидрированный карбид кремния, полученных магнетронным реактивным распылением
б.г.
ISBN отсутствует
Рогачев, Н. А.
Аморфный гидрированный карбид кремния, полученных магнетронным реактивным распылением
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Андреев, А. Н.
Влияние различных методов обработки на состояние поверхности 6H-SiC (0001)
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Влияние различных методов обработки на состояние поверхности 6H-SiC (0001)
б.г.
ISBN отсутствует


Статья
Васильев, В. А.
Влияние температуры осаждения на фотолюминесцентные свойства пленок а-С:Н
б.г.
ISBN отсутствует
Васильев, В. А.
Влияние температуры осаждения на фотолюминесцентные свойства пленок а-С:Н
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Андреев, А. Н.
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Аникин, М. М.
Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует


Статья
Лебедев, А. А.
Диоды на основе 6H-SiC, полученные совмещением газотранспортной и сублимационной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Диоды на основе 6H-SiC, полученные совмещением газотранспортной и сублимационной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует





Книга (аналит. описание)
Геллер, И. Х.
Исследование распределения потенциала по сечению выпрямительных элементов зондовым методом при их...
б.г.
ISBN отсутствует
Геллер, И. Х.
Исследование распределения потенциала по сечению выпрямительных элементов зондовым методом при их...
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Андреев, А. Н.
Метод очистки поверхности карбида кремния в условиях высокого вакуума
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Метод очистки поверхности карбида кремния в условиях высокого вакуума
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Иванов, П. А.
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
б.г.
ISBN отсутствует


Доступно
1 из 1
Книга
Агаларзаде, П. С.
Основы конструирования и технологии обработки поверхности p-n-перехода
Сов. радио, 1978 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Агаларзаде, П. С.
Основы конструирования и технологии обработки поверхности p-n-перехода
Сов. радио, 1978 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный

Статья
Андреев, А. Н.
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Аникин, М. М.
Перспективы развития сублимированной эпитаксии карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Перспективы развития сублимированной эпитаксии карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Данишевский, А. М.
Поверхностная ультрафиолетовая фотолюминесценция кристаллов карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Данишевский, А. М.
Поверхностная ультрафиолетовая фотолюминесценция кристаллов карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Иванов, П. А.
Полупроводниковый карбид кремния - технология и приборы. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Полупроводниковый карбид кремния - технология и приборы. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Лебедев, А. А.
Получение и исследование 6H-SiC эпитаксиально-диффузионных p-n-структур
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Получение и исследование 6H-SiC эпитаксиально-диффузионных p-n-структур
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Андреев, А. Н.
Связь 'дефектной' электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Связь 'дефектной' электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
б.г.
ISBN отсутствует

Доступно
3 из 3
Книга
Шур, М. С.
Современные приборы на основе арсенида галлия
Мир, 1991 г.
ISBN 5-03-001459-4
Библиотека МИСИС : Научный
Шур, М. С.
Современные приборы на основе арсенида галлия
Мир, 1991 г.
ISBN 5-03-001459-4
Библиотека МИСИС : Научный


Книга (аналит. описание)
Бронштейн, И. К.
Тепловое сопротивление как параметр, определяющий эффективность полупроводниковых приборов в схем...
б.г.
ISBN отсутствует
Бронштейн, И. К.
Тепловое сопротивление как параметр, определяющий эффективность полупроводниковых приборов в схем...
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Андреев, А. Н.
Тиристоры на основе карбида кремния: некоторые особенности приборов и оценка возможных параметров
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Тиристоры на основе карбида кремния: некоторые особенности приборов и оценка возможных параметров
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует