Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Трегубова, А. С.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Андреев, А. Н.
Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом атомной сублимации на по...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Исследование гетероэпитаксиальных структур {p-3C/n-6H}-SiC / Полупроводниковые структуры, границы...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данишевский, А. М.
Характеризация макродефектов в пленках карбида кремния из данных рентгеновской топографии и комби...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сорокин, Л. М.
Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Савкина, Н. С.
Структура и свойства карбида кремния, выращенного на пористой подложке методом сублимационной эпи...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Влияние степени структурного совершенства на спектр глубоких центров в 6H-SiC / Электронные и опт...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
3C-SiC p-n-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC / Физика полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аргунова, Т. С.
Структурные исследования монокристаллов Si1-xGex рентгенодифракционными методами / Полупроводники...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Исследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии / Полупро...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках n-3C-SiC
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Авров, Д. Д.
Об оптимизации структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4H
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Мынбаева, М. Г.
Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167