Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Бер, Б. Я.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Цацульников, А. Ф.
Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизл...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кудоярова, В. Х.
Влияние кислорода на интенсивность фотолюминесценции Er (1.54 мкм) в пленках альфа-Si:H, легирова...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лундин, В. В.
Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев G...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Забродский, В. В.
Восстановление фотоответа кремниевых фотодиодов после облучения в вакуумном ультрафиолете
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бер, Б. Я.
Встраивание As в эпитаксиальные слои GaN при молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Хвостиков, В. П.
Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Соболев, Н. А.
Дислокационная люминесценция в кремнии, обусловленная имплантацией ионов кислорода и последующим ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Баранов, П. Г.
Зондирование волновой функции мелких доноров и акцепторов в карбиде кремния и кремнии путем иссле...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Цацульников, А. Ф.
Исследование слоев GaN, легированных атомами As, полученных методом газофазной эпитаксии из метал...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Герловин, И. Я.
Механизмы глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs/AlGaAs-гетероструктур / Полупроводниковые ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бер, Б. Я.
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In0.52Al0.48As методом жидкофазной...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Алексенский, А. Е.
Оптические свойства слоев наноалмазов / Низкоразмерные системы. Физика поверхности
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Баранов, П. Г.
Особенности нейтронного легирования фосфором кристаллов кремния, обогащенных изотопом 30Si: иссле...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Годисов, О. Н.
Получение изотопно-чистого поликристаллического кремния и исследование его свойств / Электронные ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Годисов, О. Н.
Получение изотопно-чистых слоев кремния 28Si методом газофазной эпитаксии / Физика полупроводнико...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Годисов, О. Н.
Получение изотопно-чистых слоев кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Физика полупрово...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Cheng, T. S.
Распределение примесей в слоях GaN, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Соболев, Н. А.
Светоизлучающие структуры Si:Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние услови...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кладько, В. П.
Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Брунков, П. Н.
Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-г...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку