Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Челноков, В. Е.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
1 | 2 | вперед >>

Доступно
 3 из 3
Книга
Шур, М. С.
Современные приборы на основе арсенида галлия
Мир, 1991 г.
ISBN 5-03-001459-4
Библиотека МИСИС : Научный


Заказать Заказать

На полку На полку


Доступно
 2 из 2
Книга
Отблеск, А. Е.
Физические проблемы в силовой полупроводниковой электронике
Наука, 1984 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный


Заказать Заказать

На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Широкозонные полупроводники для силовой электроники / Полупроводниковые гетероструктуры
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом атомной сублимации на по...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Доступно
 1 из 1
Книга
Челноков, В. Е.
Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов
Энергия, 1973 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный


Заказать Заказать

На полку На полку


Книга (аналит. описание)
Челноков, В. Е.
Физические принципы действия некоторых полупроводниковых приборов с p-n-переходами
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Исследование динисторных структур на основе SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зеленин, В. В.
Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев SiC при химическом осаждении из пара в системе C...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванов, П. А.
Исследование поверхностных состояний на границе раздела SiO2-SiC путем анализа входной комплексно...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Получение и исследование 6H-SiC эпитаксиально-диффузионных p-n-структур
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванов, П. А.
Полупроводниковый карбид кремния - технология и приборы. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Влияние различных методов обработки на состояние поверхности 6H-SiC (0001)
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванов, П. А.
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Связь 'дефектной' электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
Характер температурной и токовой зависимостей интенсивности краевой инжекционной электролюминесце...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
О зависимости положения максимума электролюминесценции в диодах на основе 6H-SiC от плотности пря...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Метод очистки поверхности карбида кремния в условиях высокого вакуума
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванов, П. А.
Зарядовые свойства МОП структуры AlSiO2-n-6H-SiC{(0001)Si}
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Динистор на основе эпитаксиальных слоев SiC-6H, выращенных методом сублимации в открытой ростовой...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
Перспективы развития сублимированной эпитаксии карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
Эпитаксиальные слои и p-n-переходы, полученные методом сублимации в системе с электронным нагревом
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Тиристоры на основе карбида кремния: некоторые особенности приборов и оценка возможных параметров
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Рогачев, Н. А.
Аморфный гидрированный карбид кремния, полученных магнетронным реактивным распылением
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данишевский, А. М.
Поверхностная ультрафиолетовая фотолюминесценция кристаллов карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167