Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Челноков, В. Е.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
1 | 2 | вперед >>

Статья
Рогачев, Н. А.
Аморфный гидрированный карбид кремния, полученных магнетронным реактивным распылением
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Влияние различных методов обработки на состояние поверхности 6H-SiC (0001)
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Влияние состава паровой фазы в ростовой ячейке на уровень легирования эпитаксиальных слоев карбид...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Васильев, В. А.
Влияние температуры осаждения на фотолюминесцентные свойства пленок а-С:Н
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
Высокотемпературный диод Шоттки Au-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Динистор на основе эпитаксиальных слоев SiC-6H, выращенных методом сублимации в открытой ростовой...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Диоды на основе 6H-SiC, полученные совмещением газотранспортной и сублимационной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванов, П. А.
Зарядовые свойства МОП структуры AlSiO2-n-6H-SiC{(0001)Si}
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Исследование динисторных структур на основе SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванов, П. А.
Исследование поверхностных состояний на границе раздела SiO2-SiC путем анализа входной комплексно...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зеленин, В. В.
Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев SiC при химическом осаждении из пара в системе C...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Книга (аналит. описание)
Геллер, И. Х.
Исследование распределения потенциала по сечению выпрямительных элементов зондовым методом при их...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Метод очистки поверхности карбида кремния в условиях высокого вакуума
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванов, П. А.
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
О зависимости положения максимума электролюминесценции в диодах на основе 6H-SiC от плотности пря...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Доступно
 1 из 1
Книга
Агаларзаде, П. С.
Основы конструирования и технологии обработки поверхности p-n-перехода
Сов. радио, 1978 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный


Заказать Заказать

На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
Перспективы развития сублимированной эпитаксии карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данишевский, А. М.
Поверхностная ультрафиолетовая фотолюминесценция кристаллов карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванов, П. А.
Полупроводниковый карбид кремния - технология и приборы. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лебедев, А. А.
Получение и исследование 6H-SiC эпитаксиально-диффузионных p-n-структур
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Связь 'дефектной' электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Доступно
 3 из 3
Книга
Шур, М. С.
Современные приборы на основе арсенида галлия
Мир, 1991 г.
ISBN 5-03-001459-4
Библиотека МИСИС : Научный


Заказать Заказать

На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом атомной сублимации на по...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Книга (аналит. описание)
Бронштейн, И. К.
Тепловое сопротивление как параметр, определяющий эффективность полупроводниковых приборов в схем...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, А. Н.
Тиристоры на основе карбида кремния: некоторые особенности приборов и оценка возможных параметров
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167