Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Доступно
3 из 3
Доступно
2 из 2
Доступно
1 из 1
Челноков, В. Е.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Доступно
3 из 3
Книга
Шур, М. С.
Современные приборы на основе арсенида галлия
Мир, 1991 г.
ISBN 5-03-001459-4
Библиотека МИСиС : Научный
Шур, М. С.
Современные приборы на основе арсенида галлия
Мир, 1991 г.
ISBN 5-03-001459-4
Библиотека МИСиС : Научный
Доступно
2 из 2
Книга
Отблеск, А. Е.
Физические проблемы в силовой полупроводниковой электронике
Наука, 1984 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Отблеск, А. Е.
Физические проблемы в силовой полупроводниковой электронике
Наука, 1984 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Статья
Лебедев, А. А.
Широкозонные полупроводники для силовой электроники / Полупроводниковые гетероструктуры
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Широкозонные полупроводники для силовой электроники / Полупроводниковые гетероструктуры
б.г.
ISBN отсутствует
Доступно
1 из 1
Книга
Челноков, В. Е.
Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов
Энергия, 1973 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Челноков, В. Е.
Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов
Энергия, 1973 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Книга (аналит. описание)
Челноков, В. Е.
Физические принципы действия некоторых полупроводниковых приборов с p-n-переходами
б.г.
ISBN отсутствует
Челноков, В. Е.
Физические принципы действия некоторых полупроводниковых приборов с p-n-переходами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лебедев, А. А.
Получение и исследование 6H-SiC эпитаксиально-диффузионных p-n-структур
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Получение и исследование 6H-SiC эпитаксиально-диффузионных p-n-структур
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Полупроводниковый карбид кремния - технология и приборы. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Полупроводниковый карбид кремния - технология и приборы. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Влияние различных методов обработки на состояние поверхности 6H-SiC (0001)
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Влияние различных методов обработки на состояние поверхности 6H-SiC (0001)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Связь 'дефектной' электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Связь 'дефектной' электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Метод очистки поверхности карбида кремния в условиях высокого вакуума
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Метод очистки поверхности карбида кремния в условиях высокого вакуума
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Перспективы развития сублимированной эпитаксии карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Перспективы развития сублимированной эпитаксии карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Эпитаксиальные слои и p-n-переходы, полученные методом сублимации в системе с электронным нагревом
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Эпитаксиальные слои и p-n-переходы, полученные методом сублимации в системе с электронным нагревом
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Тиристоры на основе карбида кремния: некоторые особенности приборов и оценка возможных параметров
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Тиристоры на основе карбида кремния: некоторые особенности приборов и оценка возможных параметров
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Рогачев, Н. А.
Аморфный гидрированный карбид кремния, полученных магнетронным реактивным распылением
б.г.
ISBN отсутствует
Рогачев, Н. А.
Аморфный гидрированный карбид кремния, полученных магнетронным реактивным распылением
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данишевский, А. М.
Поверхностная ультрафиолетовая фотолюминесценция кристаллов карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Данишевский, А. М.
Поверхностная ультрафиолетовая фотолюминесценция кристаллов карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует