Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Грехов, И. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

1 | 2 | вперед >>

Статья
Титков, И. Е.
Белая электролюминесценция структуры ZnO/GaN / Полупроводниковые структуры, границы раздела и пов...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Грехов, И. В.
Влияние гидростатического сжатия на рекомбинационные свойства золота в Si
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Тягинов, С. Э.
Влияние неоднородности толщины диэлектрика на переключение туннельной МОП структуры Al/SiO2/n-Si ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Вольт-амперные характеристики изотипных переходов SiC-SiC, изготовленных методом прямого твердофа...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Векслер, М. И.
Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si с пространственно неоднородной т...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Альварес, Х. К.
Вольтфарадные характеристики туннельно-тонких МДП структур кремний-фторид кальция-золото, выращен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Грехов, И. В.
Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Грехов, И. В.
Деградация туннельных МОП структур при высокой плотности тока
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Идеальный статический пробой в высоковольтных (1кВ) диодных p-n-структурах с охранными кольцами н...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Asli, N.
Излучательная рекомбинация в кремниевой туннельной МОП структуре / Полупроводниковые структуры, г...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронков, В. Б.
Контроль качества интерфейса методом лазерного сканирования при прямом сращивании кремниевых пластин
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Грехов, И. В.
Кремниевая силовая электроника: (состояние и перспективы развития) / Материаловедение и технологи...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Доступно
1 из 1

Книга
Грехов, И. В.
Лавинный пробой p-n перехода в полупроводниках
Энергия, 1980 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Статья
Грехов, И. В.
Механизм формирования стационарных обратных вольт-амперных характеристик МДП структур с переносом...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гущина, Е. В.
Микроскопия сопротивления растекания поликристаллических и монокристаллических сегнетоэлектрическ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Грехов, И. В.
Низкотемпературный (77К) примесный пробой в 4H-SiC p-типа / Электронные и оптические свойства пол...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Титков, И. Е.
Нормальный и аномальный гистерезис проводимости в канале прозрачного сегнетоэлектрического транзи...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Грехов, И. В.
О быстром восстановлении блокирующей способности карбид-кремниевых диодов / Физика полупроводнико...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Векслер, М. И.
О влиянии поперечного квантования на электрические характеристики туннельной МОП структуры субмик...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Афанасьев, В. П.
Оже-спектроскопия и свойства наноразмерных тонкопленочных структур Ir(Pt)/PZT(PZT/PT)/Ir / Пленки...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Тягинов, С. Э.
Определение характерного пространственного масштаба флуктуаций толщины туннельно-тонкого диэлектр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берман, Л. С.
Поверхностные состояния на кремнии в МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) структурах с туннельно...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Белов, С. В.
Подавление эффекта оттеснения эмиттерного тока в оже-транзисторах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Векслер, М. И.
Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных ст...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Титков, И. Е.
Сегнетоэлектрический полевой транзистор на основе гетероструктуры Pb(ZrxTi1-x)O3/SnO2 / Физика по...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Грехов, И. В.
Статические характеристики кремниевого оже-транзистора с туннельным МОП эмиттером и индуцированно...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аргунова, Т. С.
Структурные и электрические свойства гетеропереходов GexSi1-x/Si, полученных методом прямого сращ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку