Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Яковлев, Ю. П.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
1 | 2 | 3 | 4 | вперед >>

Статья
Данилова, Т. Н.
Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, А. П.
Безынерционная перестройка частоты генерации диодных лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAs...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, И. А.
Длинноволновые фотодиоды на основе твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y с составом вблизи границы о...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Журтанов, Б. Е.
Бистабильность электролюминесценции в двойной гетероструктуре II типа AlGaAsSb/InGaAsSb / Физика ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Попов, А. А.
Спектральные и модовые характеристики лазеров InAsSbP/InAsSbP в спектральной области вблизи 3.3 м...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Гетеропереходы II типа в системе InGaAsSb/GaSb: магнитотранспортные свойства / Полупроводниковые ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Именков, А. Н.
Перестраиваемые током лазеры на 3.3 мкм с узкой линией излучения / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Электрофизические свойства эпитаксиального арсенида индия и узкозонных твердых растворов на его о...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Стоянов, Н. Д.
Фотодиоды на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/InGaAsSb для спектрального диапазона 1...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Иванов, С. В.
Инжекционный ИК лазер (лямбда=2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb/CdM...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, А. П.
Пространственные колебания потока излучения в полосковых лазерах на основе гетеропереходов InAsSb...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Соловьев, В. А.
Растровая электронная микроскопия длинноволновых лазерных структур / Атомная структура и неэлектр...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, А. П.
Коротковолновая токовая перестройка лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, вызванная не...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Чарыков, Н. А.
Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники. I. Термодинами...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, И. А.
Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Баженов, Н. Л.
Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Электронный транспорт в гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs с различным уровнем легирования тв...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилов, Т. Н.
Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением на основе InAsSb, излучающие ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Баженов, Н. Л.
Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Перестройка током длины волн излучения мезаполосковых низкопороговых лазеров на основе InAsSb/InA...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GaInAsSb, GaALSb, GaAlAsSb) в зависимост...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, Т. Н.
Пространственное распределение излучения в дальней зоне мезаполосковых лазеров на основе InAsSb/I...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Люминесцентные свойства слоев InAs и p-n-структур на их основе, выращенных методом газофазной эпи...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, А. П.
Диодно-лазерная спектроскопия в двух модах на основе лазера InAsSb/InAsSb вблизи длины волны 3.6м...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Магнитотранспорт в полуметаллическом канале в гетероструктурах p-Ga1-xInxAsxSb1-x/p-InAs с различ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Данилова, А. П.
Одномодовый перестраиваемый на 100 ангстрем лазер на основе InAsSb/InAsSbP (лямбда~3.2 мкм) / Физ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Роль свинца при выращивании твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y методом жидкофазной эпитаксии / Эл...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167