Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Яковлев, Ю. П.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Данилова, Т. Н.
Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Попов, А. А.
Спектральные и модовые характеристики лазеров InAsSbP/InAsSbP в спектральной области вблизи 3.3 м...
б.г.
ISBN отсутствует
Попов, А. А.
Спектральные и модовые характеристики лазеров InAsSbP/InAsSbP в спектральной области вблизи 3.3 м...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, И. А.
Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, И. А.
Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует