Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Вайдер, Г.
Глава 4. Ограничения, накладываемые границами раздела, на архитектуру полевых транзисторов с затворами Шоттки и МДП-транзисторов. 4.2. Модели полевых транзисторов. 4.3. Поверхности и границы раздела. 4.4. Границы раздела металл-полупроводник. 4.5. Химические реакции между металлами и полупроводниковыми соединениями AIIIBV. 4.6. Барьеры Шоттки к GaAS. 4.7. Границы раздела канал-подложка. 4.8. Омические контакты. 4.9. Граница раздела между диэлектриками и полупроводниковыми соединениями AIIIBV. 4.10. Поверхностные и межфазные свлйства тройных и четверных полупроводниковых соединений AIIIBV. 4.11. Нестабильность характеристик полевых МДП-транзисторов / Г. Вайдер // Арсенид галлия в микроэлектронике : Пер. с англ. / У. Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан, др., Н. Айнспрук, У. Уиссмен . – М. : Мир, 1988 . – с. 130-215 .