Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дингл, Р. - Глава 8. Селективно-легированный гетероструктурный транзистор: материалы, приборы и схемы. 8.2. Т...
Дингл, Р. - Глава 8. Селективно-легированный гетероструктурный транзистор: материалы, приборы и схемы. 8.2. Т...

Книга (аналит. описание)
Автор: Дингл, Р.
Арсенид галлия в микроэлектронике: Глава 8. Селективно-легированный гетероструктурный транзистор: материалы, приборы и схемы. 8.2. Т...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Дингл, Р.
Арсенид галлия в микроэлектронике: Глава 8. Селективно-легированный гетероструктурный транзистор: материалы, приборы и схемы. 8.2. Т...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Дингл, Р.
Глава 8. Селективно-легированный гетероструктурный транзистор: материалы, приборы и схемы. 8.2. Требования к материалам для СЛГТ. 8.3. Дискретные приборы. 8.4. Использование СЛГТ в ИС / Р. Дингл, М. Фъюэр, Ч. Ту // Арсенид галлия в микроэлектронике : Пер. с англ. / У. Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан, др., Н. Айнспрук, У. Уиссмен . – М. : Мир, 1988 . – с. 360-415 .
Дингл, Р.
Глава 8. Селективно-легированный гетероструктурный транзистор: материалы, приборы и схемы. 8.2. Требования к материалам для СЛГТ. 8.3. Дискретные приборы. 8.4. Использование СЛГТ в ИС / Р. Дингл, М. Фъюэр, Ч. Ту // Арсенид галлия в микроэлектронике : Пер. с англ. / У. Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан, др., Н. Айнспрук, У. Уиссмен . – М. : Мир, 1988 . – с. 360-415 .