Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Куницын, А. Е. - Влияние легирования индием на формирование комплексов кремни-вакансия галлия в арсениде галлия, в...
Куницын, А. Е. - Влияние легирования индием на формирование комплексов кремни-вакансия галлия в арсениде галлия, в...
Статья
Автор: Куницын, А. Е.
Физика и техника полупроводников: Влияние легирования индием на формирование комплексов кремни-вакансия галлия в арсениде галлия, в...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Куницын, А. Е.
Физика и техника полупроводников: Влияние легирования индием на формирование комплексов кремни-вакансия галлия в арсениде галлия, в...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Куницын, А. Е.
Влияние легирования индием на формирование комплексов кремни-вакансия галлия в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. Е. Куницын, В. В. Чалдышев, С. П. Вуль, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 10 . – 1187-1191 .
Куницын, А. Е.
Влияние легирования индием на формирование комплексов кремни-вакансия галлия в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. Е. Куницын, В. В. Чалдышев, С. П. Вуль, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 10 . – 1187-1191 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 10
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 10
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный