Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Качурин, Г. А. - Влияние конкурирующих центров преципитации на распределение имплантируемого азота в Si при формир...
Качурин, Г. А. - Влияние конкурирующих центров преципитации на распределение имплантируемого азота в Si при формир...
Статья
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние конкурирующих центров преципитации на распределение имплантируемого азота в Si при формир...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние конкурирующих центров преципитации на распределение имплантируемого азота в Si при формир...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Качурин, Г. А.
Влияние конкурирующих центров преципитации на распределение имплантируемого азота в Si при формировании захороненных слоев / Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко, С. А. Тийс, А. Е. Плотников // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 3 . – с. 495-499 .
Качурин, Г. А.
Влияние конкурирующих центров преципитации на распределение имплантируемого азота в Si при формировании захороненных слоев / Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко, С. А. Тийс, А. Е. Плотников // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 3 . – с. 495-499 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 3
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 3
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный