Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Борисов, В. И. - Диоды Ганна на основе гетероструктуры n-InGaAs/n+ -InP
Борисов, В. И. - Диоды Ганна на основе гетероструктуры n-InGaAs/n+ -InP
Статья
Автор: Борисов, В. И.
Физика и техника полупроводников: Диоды Ганна на основе гетероструктуры n-InGaAs/n+ -InP
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Борисов, В. И.
Физика и техника полупроводников: Диоды Ганна на основе гетероструктуры n-InGaAs/n+ -InP
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Борисов, В. И.
Диоды Ганна на основе гетероструктуры n-InGaAs/n+ -InP / В. И. Борисов, А. Т. Гореленок, С. Г. Дмитриев, В. Е. Любченко, Д. Н. Рехвиашвили, А. С. Рогашков // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 4 . – 611-613 .
Борисов, В. И.
Диоды Ганна на основе гетероструктуры n-InGaAs/n+ -InP / В. И. Борисов, А. Т. Гореленок, С. Г. Дмитриев, В. Е. Любченко, Д. Н. Рехвиашвили, А. С. Рогашков // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 4 . – 611-613 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 4
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 4
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный