Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Емцев, В. В. - Образование двойных термодоноров в Cz-Si в различной концентрацией кислорода
Емцев, В. В. - Образование двойных термодоноров в Cz-Si в различной концентрацией кислорода
Статья
Автор: Емцев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Образование двойных термодоноров в Cz-Si в различной концентрацией кислорода
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Емцев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Образование двойных термодоноров в Cz-Si в различной концентрацией кислорода
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Образование двойных термодоноров в Cz-Si в различной концентрацией кислорода / В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Г. А. Оганесян, К. Шмальц // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 9 . – 1545-1548 .
Емцев, В. В.
Образование двойных термодоноров в Cz-Si в различной концентрацией кислорода / В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Г. А. Оганесян, К. Шмальц // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 9 . – 1545-1548 .