Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Жиляев, Ю. В. - Фотоэлектрические свойства структур p-GaAs/n-Ge в линейно поляризованном излучении
Жиляев, Ю. В. - Фотоэлектрические свойства структур p-GaAs/n-Ge в линейно поляризованном излучении
Статья
Автор: Жиляев, Ю. В.
Физика и техника полупроводников: Фотоэлектрические свойства структур p-GaAs/n-Ge в линейно поляризованном излучении
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Жиляев, Ю. В.
Физика и техника полупроводников: Фотоэлектрические свойства структур p-GaAs/n-Ge в линейно поляризованном излучении
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Жиляев, Ю. В.
Фотоэлектрические свойства структур p-GaAs/n-Ge в линейно поляризованном излучении / Ю. В. Жиляев, Н. Назаров, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Л. М. Федоров // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 10 . – 1820-1825 .
Жиляев, Ю. В.
Фотоэлектрические свойства структур p-GaAs/n-Ge в линейно поляризованном излучении / Ю. В. Жиляев, Н. Назаров, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, Л. М. Федоров // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 10 . – 1820-1825 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 10
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 10
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный