Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Болдырев, С. Н. - Влияние фотовозбуждения на эффективность дефектообразования при электронном облучении кремния
Болдырев, С. Н. - Влияние фотовозбуждения на эффективность дефектообразования при электронном облучении кремния
Статья
Автор: Болдырев, С. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние фотовозбуждения на эффективность дефектообразования при электронном облучении кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Болдырев, С. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние фотовозбуждения на эффективность дефектообразования при электронном облучении кремния
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Болдырев, С. Н.
Влияние фотовозбуждения на эффективность дефектообразования при электронном облучении кремния / С. Н. Болдырев, В. Н. Мордкович, Н. М. Омельяновская, О. В. Феклисова, Н. А. Ярыкин // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 10 . – 1826-1830 .
Болдырев, С. Н.
Влияние фотовозбуждения на эффективность дефектообразования при электронном облучении кремния / С. Н. Болдырев, В. Н. Мордкович, Н. М. Омельяновская, О. В. Феклисова, Н. А. Ярыкин // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 10 . – 1826-1830 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 10
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 10
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный