Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Алешин, В. Д. - Влияние лантаноидов на дефектно-примесный состав эпитаксиальных слоев GaP
Алешин, В. Д. - Влияние лантаноидов на дефектно-примесный состав эпитаксиальных слоев GaP
Статья
Автор: Алешин, В. Д.
Физика и техника полупроводников: Влияние лантаноидов на дефектно-примесный состав эпитаксиальных слоев GaP
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Алешин, В. Д.
Физика и техника полупроводников: Влияние лантаноидов на дефектно-примесный состав эпитаксиальных слоев GaP
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Алешин, В. Д.
Влияние лантаноидов на дефектно-примесный состав эпитаксиальных слоев GaP / В. Д. Алешин, Д. И. Бринкевич, С. А. Вабищевич, Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 5 . – с. 906-909 .
Алешин, В. Д.
Влияние лантаноидов на дефектно-примесный состав эпитаксиальных слоев GaP / В. Д. Алешин, Д. И. Бринкевич, С. А. Вабищевич, Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 5 . – с. 906-909 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 5
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 5
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный