Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Быковский, В. А. - Особенности поведения изовалентной примеси - индия при легировании арсенида галлия в процессе газ...
Быковский, В. А. - Особенности поведения изовалентной примеси - индия при легировании арсенида галлия в процессе газ...
Статья
Автор: Быковский, В. А.
Физика и техника полупроводников: Особенности поведения изовалентной примеси - индия при легировании арсенида галлия в процессе газ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Быковский, В. А.
Физика и техника полупроводников: Особенности поведения изовалентной примеси - индия при легировании арсенида галлия в процессе газ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Быковский, В. А.
Особенности поведения изовалентной примеси - индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений / В. А. Быковский, Л. А. Иванютин, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, И. Н. Цыпленков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 1 . – с. 77-81 .
Быковский, В. А.
Особенности поведения изовалентной примеси - индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений / В. А. Быковский, Л. А. Иванютин, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, И. Н. Цыпленков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 1 . – с. 77-81 .