Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Лубышев, Д. И.
О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. И. Лубышев, В. П. Мигаль, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, С. И. Стенин, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 10 . – с. 1862-1866 .