Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гусаков, Г. М. - О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облучении
Гусаков, Г. М. - О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облучении
Статья
Автор: Гусаков, Г. М.
Физика и техника полупроводников: О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облучении
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Гусаков, Г. М.
Физика и техника полупроводников: О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облучении
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Гусаков, Г. М.
О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облучении / Г. М. Гусаков, Т. Н. Кондратова, М. С. Минаждинов, А. И. Ларюшин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 3 . – с. 369-372 .
Гусаков, Г. М.
О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облучении / Г. М. Гусаков, Т. Н. Кондратова, М. С. Минаждинов, А. И. Ларюшин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 3 . – с. 369-372 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 3
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 3
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный