Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кучинский, П. В. - Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных де...
Кучинский, П. В. - Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных де...
Статья
Автор: Кучинский, П. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных де...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кучинский, П. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных де...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кучинский, П. В.
Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных дефектов в p-Si / П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 3 . – с. 448-452 .
Кучинский, П. В.
Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных дефектов в p-Si / П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 3 . – с. 448-452 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 3
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 3
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный