Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Аникин, М. М. - Рекомбинационные процессы в 6H-SiC p-n-структурах и влияние на них глубоких центров
Аникин, М. М. - Рекомбинационные процессы в 6H-SiC p-n-структурах и влияние на них глубоких центров
Статья
Автор: Аникин, М. М.
Физика и техника полупроводников: Рекомбинационные процессы в 6H-SiC p-n-структурах и влияние на них глубоких центров
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Аникин, М. М.
Физика и техника полупроводников: Рекомбинационные процессы в 6H-SiC p-n-структурах и влияние на них глубоких центров
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Рекомбинационные процессы в 6H-SiC p-n-структурах и влияние на них глубоких центров / М. М. Аникин, А. С. Зубрилов, А. А. Лебедев, А. П. Стрельчук, А. Е. Черенков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 3 . – с. 479-486 .
Аникин, М. М.
Рекомбинационные процессы в 6H-SiC p-n-структурах и влияние на них глубоких центров / М. М. Аникин, А. С. Зубрилов, А. А. Лебедев, А. П. Стрельчук, А. Е. Черенков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 3 . – с. 479-486 .