Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кохановский, С. И. - Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах In(1-x)GaxAs/InP
Кохановский, С. И. - Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах In(1-x)GaxAs/InP
Статья
Автор: Кохановский, С. И.
Физика и техника полупроводников: Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах In(1-x)GaxAs/InP
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кохановский, С. И.
Физика и техника полупроводников: Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах In(1-x)GaxAs/InP
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кохановский, С. И.
Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах In(1-x)GaxAs/InP / С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, Т. В. Язева, М. А. Абдуллаев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 3 . – с. 493-503 .
Кохановский, С. И.
Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах In(1-x)GaxAs/InP / С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян, Ал. Л. Эфрос, Т. В. Язева, М. А. Абдуллаев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 3 . – с. 493-503 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 3
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 3
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный